[发明专利]晶片级换能器涂覆和方法有效
| 申请号： | 201480014925.X | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105122488B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | P·D·科尔 | 申请（专利权）人： | 火山公司 |
| 主分类号： | H01L41/23 | 分类号： | H01L41/23;H01L41/332 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 李光颖,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造微型超声换能器的方法包括接收晶片，在所述晶片上形成多个微型超声换能器。微型超声换能器的每个包括换能器膜，其含有压电材料；以及第一接合盘和第二接合盘，每个被电耦合到换能器膜。从晶片的前侧在多个微型超声换能器上共形地沉积保护层。执行第一蚀刻过程以形成从前侧延伸到晶片中的多个第一沟槽。第一沟槽被蚀刻通过保护层。第一沟槽被设置在相邻的微型超声换能器之间。执行第二蚀刻过程以去除保护层的设置在第一接合盘和第二接合盘上的部分，由此暴露出第一接合盘和第二接合盘。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 级换能器涂覆 方法 | ||
【主权项】：
一种微型超声换能器，包括：基底，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；井，其被设置在所述基底中，所述井被填充有背衬材料；换能器膜，其被设置在所述基底的所述第一侧上并在所述井上，所述换能器膜含有压电层；第一导电层，其被设置在所述换能器膜上；第二导电层，其被设置在所述换能器膜的下面；第一接合盘，其被设置在所述基底的所述第一侧上的所述第一导电层上；第二接合盘，其被设置在所述基底的所述第一侧上的所述第二导电层上；以及保护层，其被共形地设置在所述换能器膜、所述第一导电层和所述第二导电层上并与所述换能器膜、所述第一导电层和所述第二导电层接触，但不在所述基底的所述第二侧、所述第一接合盘和所述第二接合盘上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于火山公司，未经火山公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480014925.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种全自动切鱼片设备
- 下一篇：一种用于绝缘胶组装固化机的胶膜切割机构
