[发明专利]氧氮化物半导体薄膜有效
| 申请号： | 201480012738.8 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105009298B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 西村英一郎;中山德行;井藁正史 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是通过氧氮化物结晶质薄膜提供一种具有相对高的载流子迁移率并且适合作为TFT的沟道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明对含有In、O以及N的非晶质的氧氮化物半导体薄膜或者含有In、O、N以及添加元素M(M是从Zn、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、W、Mg、Al、Y以及稀土类元素中选出的一种以上的元素)的非晶质的氧氮化物半导体薄膜进行加热温度为200℃以上、加热时间为1分钟～120分钟的退火处理，由此，得到结晶质的氧氮化物半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧氮化物半导体 薄膜 非晶质 结晶质 加热 氧化物半导体薄膜 载流子迁移率 沟道层材料 稀土类元素 添加元素 退火处理 氧氮化物 | ||
【主权项】：
一种氧氮化物半导体薄膜，其特征在于，所述氧氮化物半导体薄膜是由含有In、O以及N的结晶质的氧氮化物半导体构成，所述氧氮化物半导体薄膜的载流子浓度为1×1017cm‑3以下、载流子的迁移率为5cm2/Vsec以上，所述氧氮化物半导体中的N的含量是3×1020原子/cm3以上且低于1×1022原子/cm3，所述氧氮化物半导体的结晶结构是由方铁锰矿型结构的In2O3构成，并且，N原子固溶于In2O3相中。
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