[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480012154.0 | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN105190858B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 百濑文彦;齐藤隆;木户和优;西村芳孝 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过引线(7)电连接半导体元件与电路层的模块结构的半导体装置，在半导体元件的正面电极(12)的表面形成正面金属膜(14)，在该正面金属膜(14)上通过引线键合而接合有引线(7)。正面金属膜(14)的硬度比正面电极(12)或引线(7)的硬度高。如此，能够提高半导体装置的功率循环能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，是通过引线键合电连接半导体元件的电极与引线而成的半导体装置，其特征在于，在所述电极的表面设置有硬度比所述引线高的金属膜，所述引线通过引线键合被接合在所述金属膜上，所述引线的与所述金属膜的接合界面的再结晶温度为175℃以上，所述引线的所述接合界面的晶粒的粒径为15μm以下，所述引线的与所述接合界面分开的部分包含粒径大于15μm的晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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