[发明专利]静电电容型压力传感器及输入装置在审
| 申请号： | 201480012015.8 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105026904A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 井上胜之 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;H01L29/84 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金相允 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在由半导体构成的固定电极(32)的上表面形成介电层(33)。通过使介电层(33)的表面的一部分凹陷，在介电层(33)的表面形成凹槽(33a)。在介电层(33)的上表面层叠上基板(35a)以覆盖凹槽(33a)。上基板(35a)中位于凹槽(33a)上方的薄膜状的部分是能够因压力而弯曲的导电性膜片(35)。固定电极(32)的至少上表面的杂质浓度为2.00×1017cm-3以上且2.10×1019cm-3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 电容 压力传感器 输入 装置 | ||
【主权项】：
一种静电电容型压力传感器，其特征在于，具有：固定电极，其由半导体构成，介电层，其形成在所述固定电极的上方，以及膜片，其隔着空隙形成在所述介电层的上方；所述固定电极的至少上表面的杂质浓度为2.00×1017cm‑3以上且2.10×1019cm‑3以下。
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