[发明专利]具有沟槽形底部电极的电阻式存储器单元有效
| 申请号： | 201480011450.9 | 申请日： | 2014-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN105027312B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 詹姆士·沃尔斯;保罗·费斯特 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种CBRAM或ReRAM类型的电阻式存储器单元包含顶部电极(222)；及沟槽形底部电极结构，其界定底部电极连接(200)及从邻近所述底部电极连接的第一侧壁区(214)延伸到尖端区(212)的侧壁(210)，其中背对所述底部电极连接的尖端表面(216)具有小于邻近所述底部电极连接的所述第一侧壁区的厚度的厚度。电解质切换区(220)布置于所述顶部电极与所述底部电极尖端区之间以提供用于在将电压偏置施加到所述电阻式存储器单元时形成从所述底部电极尖端表面(216)经由所述电解质切换区到所述顶部电极的导电细丝或空位链(226)的路径。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 底部 电极 电阻 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器单元，其包括：顶部电极；底部电极结构，其具有沟槽形状且界定底部电极连接及从所述底部电极连接延伸的底部电极侧壁，且所述底部电极结构界定内部沟槽区域；其中所述底部电极侧壁从所述底部电极连接的顶部表面延伸到界定大体上背对所述底部电极连接的尖端表面的尖端区；其中邻近所述底部电极连接的所述底部电极侧壁在第一方向上具有第一侧壁区厚度，且背对所述底部电极连接的所述尖端表面在所述第一方向上具有小于所述第一侧壁区厚度的尖端厚度；以及电解质层，其界定布置于所述顶部电极与所述底部电极侧壁的所述尖端区之间的电解质切换区且所述电解质层的至少一部分延伸到所述内部沟槽区域中，其中所述电解质层提供用于在将电压偏置施加到所述电阻式存储器单元时形成从所述底部电极侧壁的所述尖端表面经由所述电解质切换区到所述顶部电极的导电细丝或空位链的路径，其中绝缘层布置于延伸到所述内部沟槽区域的所述电解质层的所述至少一部分和所述底部电极侧壁的面向所述内部沟槽区域的表面之间。
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