[发明专利]超平滑层紫外线光刻镜及坯料与其制造及光刻系统有效
| 申请号： | 201480010996.2 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105027257B | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 苏梅德拉·N·巴曼;卡拉·比斯利;阿布海杰特·巴苏·马利克;拉尔夫·霍夫曼;妮琴·K·英吉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种极紫外线镜或坯料生产系统包括：第一沉积系统，用于在半导体基板之上沉积平坦化层；第二沉积系统，用于在该平坦化层之上沉积超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；以及第三沉积系统，用于在该超平滑层之上沉积多层堆叠物。该极紫外线坯料包括：基板；该基板之上的平坦化层；该平坦化层之上的超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；多层堆叠物；以及该多层堆叠物之上的覆盖层。一种极紫外线光刻系统包括：极紫外线光源；镜，用于导引来自该极紫外线光源的光；中间掩模台，用于置放带有平坦化层和在该平坦化层之上的超平滑层的极紫外线掩模坯料；以及晶片台，用于置放晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 平滑 紫外线 光刻 坯料 与其 制造 系统 | ||
【主权项】：
1.一种极紫外线透镜元件或坯料生产系统，包含：第一沉积系统，用于在半导体基板之上沉积平坦化层；第二沉积系统，用于在所述平坦化层之上沉积超平滑层，所述超平滑层具有经重组的分子；以及第三沉积系统，用于在所述超平滑层之上沉积多层堆叠物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
