[发明专利]氧化铌溅射靶、其制造方法及氧化铌膜在审
| 申请号： | 201480010227.2 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN105074046A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 梅本启太;张守斌 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可直流(DC)溅射的氧化铌溅射靶及制造方法。本发明的氧化铌溅射靶为氧化铌烧结体，其特征为在所述烧结体的厚度方向的整个区域，比电阻为0.001～0.05Ω·cm。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化铌溅射靶，其为氧化铌烧结体，其特征在于，在所述氧化铌烧结体的厚度方向的整个区域，比电阻为0.001～0.05Ω·cm。
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