[发明专利]使用含有金离子和氟离子的溶液形成金属硅化物的方法有效
| 申请号: | 201480009890.0 | 申请日: | 2014-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN105074052B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
| 发明(设计)人: | 文森特·梅费里克;多米尼克·祖尔 | 申请(专利权)人: | 埃其玛公司 |
| 主分类号: | C23C18/18 | 分类号: | C23C18/18;C23C18/16;C23C18/34;C23C18/36;H01L21/28;H01L21/288;C23C18/54 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 梁兴龙,曹正建 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种用于形成硅化镍或硅化钴的方法,包括以下步骤‑将含硅基板的表面暴露到含有0.1mM~10mM的金离子和0.6M~3.0M的氟离子的水溶液中并持续在5秒~5分钟之间的时间,‑通过无电镀手段在活化的基板上沉积基本上由镍或钴构成的层,‑在300℃~750℃之间的温度下施加快速热处理,从而形成硅化镍或硅化钴。所述水溶液包含选自含有至少一种阴离子或非离子极性基团并含有10~16个碳原子的烷基链的化合物的表面活性剂。这种方法基本上可以应用到NAND存储器和光伏电池的制造。 | ||
| 搜索关键词: | 使用 含有 离子 溶液 形成 金属硅 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在含硅基板上形成硅化镍或硅化钴的方法,所述方法包括以下步骤:‑使所述含硅基板的表面与包含金离子和氟离子的水溶液接触,从而在所述表面上形成金属金颗粒,其中所述水溶液包含选自含有至少一种阴离子或一种非离子极性基团并含有10~16个碳原子的一个烷基链的化合物的表面活性剂,‑通过无电镀途径在覆盖有根据前述步骤获得的金属金颗粒的所述表面上沉积包含按重量计超过90%的镍或钴的层,其中所述层的厚度在10nm~45nm之间,和‑在300℃~750℃之间的温度下施加快速热退火,从而形成硅化镍或硅化钴。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
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C23C18-18 ..待镀材料的预处理





