[发明专利]底部填充片、背面研削用胶带一体型底部填充片、切割胶带一体型底部填充片及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201480009322.0 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN105027271A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 盛田浩介;高本尚英;花园博行;福井章洋 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C09J7/00;C09J11/04;C09J133/00;C09J161/10;C09J163/00;C09J201/00;C09K3/10;H01L21/301;H01L21/304;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种底部填充片，其可良好地将半导体元件的电路面的凹凸埋入，可将半导体元件的端子与被粘接体的端子良好地连接，可减少脱气。本发明涉及一种底部填充片，其在150℃、0.05～0.20转/分钟时的粘度为1000～10000Pa·s，在100～200℃、0.3～0.7转/分钟时的最低粘度为100Pa·s以上。 | ||
| 搜索关键词： | 底部 填充 背面 研削用 胶带 体型 切割 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种底部填充片，其在150℃、0.05～0.20转/分钟时的粘度为1000～10000Pa·s，且在100～200℃、0.3～0.7转/分钟时的最低粘度为100Pa·s以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
