[发明专利]固态成像器件、固态成像器件的制造方法及电子装置有效
申请号: | 201480009183.1 | 申请日: | 2014-03-03 |
公开(公告)号: | CN104995734B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 田中裕介;若野寿史;田谷圭司;永野隆史;岩元勇人;中泽圭一;平野智之;山口晋平;丸山俊介 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子装置。更具体地,固态成像器件包括硅基板和形成在所述硅基板中的至少第一光电二极管。所述器件还包括外延层和传输晶体管,所述外延层的第一表面与所述硅基板的表面相邻,且所述传输晶体管的栅极电极从所述至少第一光电二极管延伸至所述外延层的与所述第一表面相对的第二表面。在其它实施例中,提供了具有多个像素的固态成像器件,所述多个像素形成在第二半导体基板中,且所述多个像素关于中心点对称。浮动扩散部形成在外延层中,且提供了多个传输栅极电极,每个所述传输栅极电极通过一个所述传输栅极电极电连接到所述浮动扩散部。 | ||
搜索关键词: | 固态成像器件 外延层 传输栅极电极 硅基板 传输晶体管 浮动扩散部 光电二极管 第一表面 电子装置 像素 半导体基板 中心点对称 第二表面 像素形成 栅极电极 电连接 制造 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像器件,其包括:硅基板;第一光电二极管,所述第一光电二极管形成在所述硅基板中;外延层,所述外延层的第一表面与所述硅基板的表面相邻;以及传输晶体管,所述传输晶体管的栅极电极从所述第一光电二极管延伸至所述外延层的与所述第一表面相对的第二表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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