[发明专利]单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板有效
| 申请号： | 201480008414.7 | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104981324B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 贵堂高德;加藤智久 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24D3/00;C30B29/36;C30B33/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种单晶SiC基板的表面加工方法，将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | sic 表面 加工 方法 制造 工用 磨削 | ||
【主权项】：
一种单晶SiC基板的表面加工方法，其特征在于，将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化产物，一边除去该氧化产物一边进行表面的磨削，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种金属氧化物，所述硬质垫被分片化。
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