[发明专利]外延基环有效
申请号: | 201480008331.8 | 申请日: | 2014-02-19 |
公开(公告)号: | CN104995717B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 史蒂夫·阿博阿杰;保罗·布里尔哈特;苏拉吉特·库马尔;常安忠;萨瑟施·库珀奥;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;戴维·K·卡尔森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中,所述基环组件包括环形主体、上环与下环,所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内,所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口,其中所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处,所述上环被配置以设于所述环形主体的顶表面上,所述下环被配置以设于所述环形主体的底表面上,其中所述上环、所述下环与所述环形主体一旦组装即大体呈同心或共轴的。 | ||
搜索关键词: | 外延 | ||
【主权项】:
一种用于基板处理腔室的基环组件,包括:环形主体,所述环形主体被设置在所述基板处理腔室的内圆周内,所述环形主体包括:基板装载端口;气体入口;气体出口,其中所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处,且其中所述基板装载端口相对于所述气体入口与所述气体出口呈90°的角度偏移;上沟槽,所述上沟槽形成于所述环形主体的顶表面中;以及下沟槽,所述下沟槽形成于所述环形主体的底表面中;上环,所述上环被设置在所述环形主体的所述上沟槽内,所述上环与所述上沟槽在所述上环与所述上沟槽之间界定第一环形流体流动路径;及下环,所述下环被设置在所述环形主体的所述下沟槽内,所述下环与所述下沟槽在所述下环与所述下沟槽之间界定第二环形流体流动路径,其中所述上环和所述下环是分别与所述上沟槽和所述下沟槽分开的单独件,且所述上环、所述下环与所述环形主体一旦组装即是同心的或同轴的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造