[发明专利]微细抗蚀图案形成用组合物以及使用其的图案形成方法有效
| 申请号： | 201480008277.7 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104995564B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 山本和磨;宫本义大;关藤高志;长原达郎 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;G03F7/038;G03F7/32;H01L21/027 |
| 代理公司： | 11216 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘淼 |
| 地址： | 卢森堡(L-1*** | 国省代码： | 卢森堡;LU |
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| 摘要： | 本发明提供一种组合物以及使用该组合物的图案形成方法，该组合物可形成没有表面皲裂、桥连缺陷或者未析像等不良现象的微细的负型光致抗蚀图案。一种微细图案形成用组合物，其通过应用于使用化学放大型抗蚀组合物而形成出的负型抗蚀图案，使抗蚀图案变粗而将图案进行微细化。该组合物包含在重复单元中含有氨基的聚合物或聚合物混合物以及溶剂，并且进一步包含特定量的酸，或者显示特定的pH。而且，聚合物混合物包含根据汉森溶解度参数而确定的HSP距离为3以上的多种聚合物。将该组合物涂布于由有机溶剂显影液进行显影而获得的负型光致抗蚀图案，并进行加热，从而形成微细的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 图案 形成 组合 以及 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微细化了的负型抗蚀图案的形成方法，其特征在于包含如下工序：/n在半导体基板上涂布化学放大型正型光致抗蚀组合物而形成光致抗蚀层的工序，/n将由所述光致抗蚀层覆盖了的所述半导体基板进行曝光的工序，/n在所述曝光后用有机溶剂显影液进行显影的工序，/n在所述光致抗蚀图案的表面涂布微细图案形成用组合物的工序，该微细图案形成用组合物包含在重复单元中包含氨基的聚合物、酸、以及溶剂，/n将涂布完的光致抗蚀图案加热的工序，以及/n将过量的微细图案形成用组合物洗涤而去除的工序，/n其中，/n所述聚合物的量以所述微细图案形成用组合物的总重量为基准为0.1～10重量％，/n所述酸的量以前述聚合物的重量为基准超过50重量％并且在200重量％以下，/n所述聚合物从由聚乙烯胺、聚烯丙胺、聚二烯丙基胺、聚乙烯亚胺、以及聚(烯丙基胺-共-二烯丙基胺)组成的组中选出。/n
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