[发明专利]装置和用于运行装置的方法

摘要

在至少一个实施方式中提出一种用于运行装置(1)的方法。装置(1)具有N个发射辐射的半导体芯片(2)。半导体芯片(2)以电串联电路设置。装置(1)包括多个开关元件(3)，其中开关元件(3)中的一个开关元件电并联连接至每个半导体芯片(2)。装置(1)包括用于彼此独立地控制开关元件(3)的控制单元(4)。装置(1)包括用于对串联电路进行通电的恒流源(5)。在关断时，相应的、与开关元件(3)相关联的半导体芯片(2)由开关元件(3)电跨接。装置(1)的保护模块(6)设立为用于在关断一个或多个半导体芯片(2)时，降低或防止电流峰值。

主权项

一种用于运行装置的方法，其中‑所述装置(1)具有N个发射辐射的半导体芯片(2)并且N是自然数，其中N≥2；‑所述半导体芯片(2)以串联电路(20)设置；‑所述装置(1)包括多个开关元件(3)，并且所述开关元件(3)中的一个开关元件与每个所述半导体芯片(2)或一组半导体芯片(2)并联连接；‑所述装置(1)包括用于彼此独立地控制所述开关元件(3)的控制单元(4)；‑所述装置(1)包括用于对所述串联电路(20)通电的恒流源(5)；‑在关断时，由所述开关元件(3)电跨接相应的所述半导体芯片(2)；‑所述装置(1)包括保护模块(6)，并且‑所述保护模块(6)在关断一个或多个所述半导体芯片(2)时降低或防止电流峰值，‑借助于脉冲宽度调制来控制所述半导体芯片(2)；‑在具有总持续时间T的调制周期(M)期间，将第n个半导体芯片(2)以连续的接通持续时间tn接通，其中tn≤T；‑n∈[1；N]N；‑通过所述保护模块(6)，仅将一部分的所述半导体芯片(2)在所述调制周期(M)开始时接通，‑通过所述保护模块(6)，在所述调制周期(M)之内关断至少一个所述半导体芯片(2)并且同时接通另一个所述半导体芯片(2)，并且‑将所述半导体芯片(2)的至少一些由所述控制单元(4)输出的理论接通持续时间通过所述保护模块(6)至多改变所述总持续时间T的10％，以便得到实际的接通持续时间tn，使得所述实际的接通持续时间tn通过所述保护模块(6)彼此协调并且在所述调制周期(M)之内推迟，使得所述半导体芯片(2)的同时的接通过程和关断过程的数量最大化。