[发明专利]半导体装置

摘要

降低由于电容的充放电导致的栅极电极的电压上升从而引起误动作的可能性。半导体装置包括：第一导电型漂移层20；与源极电极90相连接，且被安装在漂移层20上的第二导电型基极层30；以及与源极电极90相连接，贯穿基极层30从而延伸到漂移层20的第二导电型阵列层50。半导体装置包括：被安装在被设在阵列层50的上端两侧的一对第一沟槽63的内部，且被第一绝缘层62包围的一对第一栅极电极61；被设置在基极层30上，在第一绝缘层62中与阵列层50一侧反向的一侧部与该第一绝缘层62相邻接，且与源极电极90相连接的第一导电型源极区域31。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型漂移层，在被设置在所述漂移层上的同时，与源极电极相连接的第二导电型基极层，与所述源极电极相连接，且所述基极层从而延伸到所述漂移层的第二导电型阵列层，被设置在所述阵列层的上端两侧所设有的一对第一沟槽的内部，且被第一绝缘层包围的一对第一栅极电极，被设置在所述基极层中，在所述第一绝缘层中的所述阵列层侧的反向侧的侧部上与该第一绝缘层相邻接，且与所述源极电极相连接的第一导电型源极区域，以及在水平方向上处于一对所述第一栅极电极之间，被设置在所述阵列层内所设有的第二沟槽的内部，且被第二绝缘层包围的第二栅极电极，其中，所述第二绝缘层与所述第二栅极电极作为一个整体被设置多个，所述第一沟槽的所述阵列层侧的侧面被设置在该阵列层内。