[发明专利]多孔性硅类负极活性物质及其制备方法、包含它的锂二次电池有效
| 申请号： | 201480002484.1 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104662715B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李龙珠;李美林;柳正宇;金帝映 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/134;H01M10/052 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 金龙河;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供多孔性硅类负极活性物质及其制备方法，上述多孔性硅类负极活性物质包含结晶性硅粒子，在上述结晶性硅粒子的表面或在结晶性硅粒子的表面及内部包含多个孔隙，在上述多个孔隙中的至少一部分孔隙的结晶面的至少一面包括<110>面。本发明的多孔性硅类负极活性物质使锂二次电池在充放电时所发生的体积的膨胀更集中于孔隙，而不是集中于负极活性物质的外部，从而能够有效地控制体积膨胀，提高二次电池的寿命特性。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 性硅类 负极 活性 物质 及其 制备 方法 包含 二次 电池 | ||
【主权项】：
1.一种多孔性硅类负极活性物质，其特征在于，包含：结晶性硅粒子；和在上述结晶性硅粒子的表面或在上述结晶性硅粒子表面及内部的多个孔隙；其中所述结晶性硅粒子包含轴向为<110>方向的硅粒子，以及其中在上述多个孔隙中的至少一部分孔隙的两个结晶面包括<110>面，其中所述多个孔隙沿着孔隙的结晶面<110>面方向更加延伸，其中在所述多个孔隙中，沿着结晶面<110>面方向的孔隙的长度相对小于沿着除<110>面之外的其他面方向的孔隙的长度。
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