[发明专利]制造光吸收层用的CI(G)S纳米颗粒的制造方法及使用其制造的CI(G)S纳米颗粒有效
| 申请号： | 201480001912.9 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104488091B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 尹泰勋;尹锡喜;尹锡炫 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;冷永华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了制备形成太阳能电池光吸收层的CI(G)S纳米颗粒的方法以及使用其制造的CI(G)S纳米颗粒，所述方法包括：将至少一种第VI族来源和铟(In)盐溶解在溶剂中以制备第一溶液，所述第VI族来源选自包含硫(S)、硒(Se)或其组合的化合物；使第一溶液反应以形成第一前体颗粒；将铜(Cu)盐溶解在溶剂中以制备第二溶液；使第二溶液与在其中形成第一前体的第一溶液混合以制造混合物；以及在通过使混合物反应合成CI(G)S纳米颗粒后纯化合成的CI(G)S纳米颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光吸收 ci 纳米 颗粒 方法 使用 | ||
【主权项】：
一种制备CI(G)S纳米颗粒的方法，所述CI(G)S纳米颗粒形成太阳能电池的光吸收层，所述方法包括：将至少一种第VI族来源和铟(In)盐溶解在溶剂中以制备第一溶液，所述第VI族来源选自包含硫(S)、硒(Se)或其组合的化合物；使所述第一溶液反应以形成第一前体颗粒；将铜(Cu)盐溶解在溶剂中以制备第二溶液；使所述第二溶液与其中形成有所述第一前体颗粒的所述第一溶液混合以制造混合物；以及在通过使所述混合物反应合成所述CI(G)S纳米颗粒后纯化所合成的CI(G)S纳米颗粒，其中所合成的CI(G)S纳米颗粒是平均直径为30nm至200nm的球状颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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