[发明专利]电极密度及电极孔隙率的测定方法有效
申请号: | 201480001651.0 | 申请日: | 2014-04-29 |
公开(公告)号: | CN104395741B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 金银卿;申善英;金帝映;禹相昱 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | G01N23/20 | 分类号: | G01N23/20;H01M4/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 金龙河,穆德骏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及利用X射线衍射(X‑ray diffraction)的电极密度及电极孔隙率的测定方法。根据本发明的电极密度及电极孔隙率的测定方法,由于利用X射线衍射(X‑ray diffraction),因而能够以非破坏性的方式有效地测定电极密度及孔隙率。 | ||
搜索关键词: | 电极 密度 孔隙率 测定 方法 | ||
【主权项】:
一种涂敷于电极基材上的电极活性物质的电极密度的非破坏性测定方法,包括:通过X射线衍射非破坏性求得所述电极活性物质的I平行方向峰值/I垂直方向峰值值;和根据预先求得的电极密度与电极活性物质的I平行方向峰值/I垂直方向峰值值之间的相关关系式,算出所要求得的电极密度,其中,在所述相关关系式中,电极密度与电极活性物质的I平行方向峰值/I垂直方向峰值值之间的相关关系为线性关系,其中,所述相关关系式通过以下方式取得:根据以下数学式2来求得包含相同的电极活性物质的三个以上的电极密度,利用X射线衍射来求得相应电极的电极活性物质的I平行方向峰值/I垂直方向峰值值,以及利用所求得的电极密度和所求得的I平行方向峰值/I垂直方向峰值值来分析电极密度和电极活性物质的I平行方向峰值/I垂直方向峰值值之间的相关关系,所述电极活性物质的I平行方向峰值/I垂直方向峰值为I004/I110,且在所述相关关系式中,电极密度具有0.9至1.0的决定系数(R2),数学式2:D=M/(S×H),在上述式中,D表示电极密度,S为电极面积,M为在电极中除了电极基材以外的电极活性物质的质量,H表示在电极中除了电极基材以外的电极活性物质的厚度。
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