[发明专利]用于中子射线减速材料的氟化物烧结体的制造方法有效
| 申请号： | 201480001165.9 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104640824B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 熊田博明;中村哲之;重岡卓二;池田毅 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人筑波大学;株式会社大兴制作所 |
| 主分类号： | C04B35/553 | 分类号： | C04B35/553 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙)31243 | 代理人： | 陈贞健 |
| 地址： | 日本国茨城县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种用作中子射线减速材料的氟化物烧结体，该氟化物烧结体适合于能够使高能量中子射线减速，照射身体深处的患部，使肿瘤消灭的治疗用的中子射线等的减速材料，由致密的多结晶构造的MgF2构成，堆密度为2.90g/cm3以上，具有弯曲强度为10MPa以上，维氏硬度为71以上的机械强度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 中子 射线 减速 材料 氟化物 烧结 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于中子射线减速材料的氟化物烧结体的制造方法，其特征在于，所述制造方法是由致密的多结晶构造的MgF2烧结体构成的堆密度在2.90g/cm3以上、3.07g/cm3以下，且具有弯曲强度在10MPa以上，维氏硬度在71以上的机械强度的用于中子射线减速材料的氟化物烧结体的制造方法，包括：将高纯度MgF2原料微粉碎，添加0.1～1wt％烧结助剂混合的步骤；使用单轴加压机，以成型压在5MPa以上而成型的步骤；使用冷等静压(CIP)机，以成型压在5MPa以上而成型的步骤；在大气环境中，550～600℃温度范围内，4～10小时条件下的临时烧结步骤；在惰性气体环境中，750～840℃温度范围内，5～12小时的加热步骤；与前步骤相同环境中，在900～1100℃温度范围内，加热0.5～3小时，形成致密构造的MgF2烧结体的正式烧结步骤。
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