[发明专利]具有表面官能化金属纳米线的透明导电电极、它们的结构设计及制造方法有效
| 申请号： | 201480001120.1 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104412336B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 潘克菲 | 申请（专利权）人： | 苏州诺菲纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种图案化的透明导电膜。该图案化的透明导电膜包括一个基板以及位于所述基板顶部的主要单层。所述主要单层包括第一区域以及第二区域，其中第一区域包括银纳米线网络以及用以防止纳米线被表面氧化的装置；所述第二区域包括若干金属纳米线、用以防止纳米线被表面氧化的装置、以及金属氧化物纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面 官能 金属 纳米 透明 导电 电极 它们 结构设计 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图案化的透明导电膜，包括：基板；位于所述基板顶部的主要单层，包括：第一区域，所述第一区域包括银纳米线网络以及用以防止纳米线被表面氧化的装置；以及第二区域，所述第二区域包括若干金属纳米线、用以防止纳米线被表面氧化的装置以及金属氧化物纳米线，所述金属氧化物纳米线是由所述金属纳米线转化而成，所述金属氧化物纳米线将若干金属纳米线变成独立簇或孤立簇；所述第一区域和所述第二区域之间的折射率差小于0.05，所述第一区域和所述第二区域之间的雾度差小于0.2％。
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