[实用新型]背接触异质结太阳电池

摘要

本实用新型公开了一种背接触异质结太阳电池，它包括硅片基体层，硅片基体层的背面具有P型接触区域和N型接触区域，P型接触区域呈向硅片基体层凹陷的内曲面结构，并且P型接触区域由内至外依次为背面本征层、发射极、导电介质层和发射极电极；N型接触区域由内至外依次为背面本征层、背电场层、导电介质层和背电场电极。本实用新型不仅可以改善背接触异质结太阳电池的结特性，而且有助于入射光在基底内部的广角散射，增加吸收层的有效光程，进而提升电池的整体性能。

主权项

一种背接触异质结太阳电池，包括硅片基体层（1），其特征在于，硅片基体层（1）的背面具有P型接触区域和N型接触区域，P型接触区域呈向硅片基体层（1）凹陷的内曲面结构，并且P型接触区域由内至外依次为背面本征层（5）、发射极（6）、导电介质层（8）和发射极电极（9）；N型接触区域由内至外依次为背面本征层（5）、背电场层（7）、导电介质层（8）和背电场电极（10）。