[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201420814078.2 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN204289395U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;赵金波;江宇雷;陈文伟;杨雪 | 申请（专利权）人： | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 610404 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，在特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后，采用与半导体衬底的掺杂类型相反的液态掺杂源进行扩散，所述液态掺杂源覆盖阻挡层表面，并在沟槽周围的半导体衬底中形成与半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区，无需采用工艺复杂、技术难度较大的常规外延掺杂工艺，降低了工艺难度。另外，本实用新型在形成掺杂区后，采用填充性较佳的介质材料进行沟槽填充，有利于形成没有缝隙或空洞的填充层，使沟槽内部填充没有缺陷，降低了对沟槽刻蚀工艺的要求，保证器件的高压性能和可靠性要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：具有特定掺杂类型的半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的沟槽；采用与所述半导体衬底的掺杂类型相反的液态掺杂源进行扩散进而形成于沟槽周围的半导体衬底中与半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区；及形成于所述沟槽中的填充层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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