[实用新型]旋转式晶圆加工处理系统有效
申请号: | 201420806962.1 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN204332916U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 王义正 | 申请(专利权)人: | 王义正 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种旋转式晶圆加工处理系统,为针对一晶圆进行处理,该旋转式晶圆加工处理系统包含一晶圆承载单元、一驱动单元、一加工处理单元以及一气体供应单元,该晶圆承载单元包含一环形承载元件,该环形承载元件定义出一处理腔室且包括一凸缘以及一挡墙,该驱动单元包含一转动轴,该加工处理单元设置于该处理腔室内且包含一位于该晶圆的待加工区域一侧的工作平台以及多个设置于该工作平台上的出气孔洞。藉由该驱动单元的设置,使得设置于该晶圆承载单元上的该晶圆可在加工处理时进行旋转,进而提升加工处理时的均匀度。 | ||
搜索关键词: | 旋转 式晶圆 加工 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种旋转式晶圆加工处理系统,其针对一晶圆进行处理,该晶圆具有一边缘区域以及一受该边缘区域围绕的待加工区域,其特征在于,该旋转式晶圆加工处理系统包括:一晶圆承载单元,包括一环形承载元件,该环形承载元件定义出一处理腔室,且该环形承载元件包括一朝该处理腔室延伸且供该晶圆的该边缘区域靠置的凸缘以及一朝该晶圆的一厚度方向延伸的挡墙;一与该处理腔室连接的驱动单元,该驱动单元包含一驱动该处理腔室转动的转动轴;一设置于该处理腔室内的加工处理单元,该加工处理单元包含一位于该晶圆的该待加工区域一侧的工作平台、多个设置于该工作平台上的出气孔洞以及多个设置于该工作平台上的出液孔洞;一提供一气体至该处理腔室以使该晶圆与该工作平台相隔一间距的气体供应单元,该气体供应单元与该些出气孔洞相互连接;以及一提供一化学药剂至该处理腔室以与该晶圆的该待加工区域接触的液体供应单元,该液体供应单元与该些出液孔洞相互连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造