[实用新型]热退火设备有效
| 申请号: | 201420744922.9 | 申请日: | 2014-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN204243004U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
| 发明(设计)人: | 柯其勇;商金栋;左文霞 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
| 代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
| 地址: | 201508 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型涉及一种热退火设备,用于对非晶硅薄膜进行热退火处理,包括依序分隔形成的预热室、退火室、以及冷却室,所述退火室内包括温度依序降低的多个工作腔,所述预热室的温度低于多个所述工作腔中与所述预热室相邻的工作腔的温度,所述冷却室的温度低于多个所述工作腔中与所述冷却室相邻的工作腔的温度。采用在退火室前设置预热室,在热退火过程中,使得玻璃基板的温度逐渐上升到最高温度,且在退火室内设置温度依序降低的工作腔,实现玻璃基板的温度逐渐下降,避免玻璃基板进入制程就急速升温到最高制程温度,可降低气泡、膜裂等不良现象的产生。采用温度逐渐下降,可以有效降低玻璃基板和膜层的收缩、变形引起的问题。 | ||
| 搜索关键词: | 退火 设备 | ||
【主权项】:
一种用于对非晶硅薄膜进行热退火处理的热退火设备,其特征在于,包括依序分隔形成的预热室、退火室、以及冷却室,所述退火室内包括温度依序降低的多个工作腔;所述预热室的温度低于多个所述工作腔中与所述预热室相邻的工作腔的温度,所述冷却室的温度低于多个所述工作腔中与所述冷却室相邻的工作腔的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





