[实用新型]一种新型薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201420744668.2 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN204204862U | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 葛泳;刘玉成;朱涛;袁波 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型薄膜晶体管，包括衬底，在所述衬底上方设置的半导体层、栅极绝缘层、源/漏电极层和栅极层，所述源/漏电极层中的源极和漏极分别与所述半导体层电接触连接，所述栅极层包括栅极走线层和分别与所述栅极走线层电接触连接的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极设置在所述栅极绝缘层上，所述第一栅极和所述第二栅极之间通过第三栅极电连接，所述第三栅极(4)设置在所述栅极绝缘层上方且在所述衬底(11)上的投影与所述半导体层(8)的投影全部或部分重叠，其具有较低的关态电流和较高的开态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种新型薄膜晶体管，包括衬底(11)，在所述衬底上方设置的半导体层(8)、栅极绝缘层(9)、源/漏电极层和栅极层，所述源/漏电极层中的源极和漏极分别与所述半导体层(8)电接触连接，所述栅极层包括栅极走线层(3)和分别与所述栅极走线层(3)电接触连接的第一栅极(1)和第二栅极(2)，所述第一栅极(1)和所述第二栅极(2)设置在所述栅极绝缘层(9)上，其特征在于，所述第一栅极(1)和所述第二栅极(2)之间通过第三栅极(4)电连接，所述第三栅极(4)设置在所述栅极绝缘层上方且在所述衬底(11)上的投影与所述半导体层(8)的投影全部或部分重叠。
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