[实用新型]变频器母排结构有效

专利信息
申请号: 201420732456.2 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN204258647U 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 彭华斌 申请(专利权)人: 浙江德弗电气技术有限公司
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00;H05K7/20
代理公司: 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 代理人: 郭官厚
地址: 317700 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种变频器母排结构,其包括母排一、母排二、母排三、绝缘纸、电解电容及IGBT模块;所述母排一与母排二及母排三上下平行设置,所述母排二与母排三位于同一水平面上;所述绝缘纸设置在母排一与母排二及母排一与母排三之间;所述电解电容为一对以上,其中一个位于母排三上,另一个连接母排二及母排三;所述IGBT模块设置在母排二上;所述母排一上设置有与电解电容及IGBT模块配合的通孔;所述母排一、母排二及母排三均为导电材质制成。优点是:本实用新型的母排一、母排二及母排三采用导电材质制成,而无需再用电线连接,这样能有效降低电压尖峰的产生,防止其对IGBT模块造成损坏。
搜索关键词: 变频器 结构
【主权项】:
一种变频器母排结构,其特征在于:包括母排一(10)、母排二(20)、母排三(30)、绝缘纸(40)、电解电容(50)及IGBT模块(60);所述母排一(10)与母排二(20)及母排三(30)上下平行设置,所述母排二(20)与母排三(30)位于同一水平面上;所述绝缘纸(40)设置在母排一(10)与母排二(20)及母排一(10)与母排三(30)之间;所述电解电容(50)为一对以上,其中一个位于母排三(30)上,另一个连接母排二(20)及母排三(30);所述IGBT模块(60)设置在母排二(20)上;所述母排一(10)上设置有与电解电容(50)及IGBT模块(60)配合的通孔(11);所述母排一(10)、母排二(20)及母排三(30)均为导电材质制成。
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