[实用新型]一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片有效
| 申请号： | 201420703603.3 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN204216066U | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 马亮;李金权;裴晓将;刘素娟;胡兵 | 申请（专利权）人： | 北京中科天顺信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 100085 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，包括n型电极、氮化物外延层和p型电极，所述n型电极附着在所述氮化物外延层上，所述氮化物外延层附着在所述p型电极上；其中，所述氮化物外延层为基于SiC衬底的氮化物LED外延片中的氮化物外延层；所述基于SiC衬底的氮化物LED外延片包括SiC衬底、石墨烯层及所述氮化物外延层，所述石墨烯层附着在所述SiC衬底上，所述氮化物外延层附着在所述石墨烯层上。由于石墨烯层的加入，使得氮化物外延层与石墨烯之间存在着较弱的分子键相连接，为之后氮化物外延层与SiC衬底的分离提供了条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sic 衬底 氮化物 led 薄膜 倒装 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：包括n型电极、氮化物外延层和p型电极，所述n型电极附着在所述氮化物外延层上，所述氮化物外延层附着在所述p型电极上；其中，所述氮化物外延层为基于SiC衬底的氮化物LED外延片中的氮化物外延层；所述基于SiC衬底的氮化物LED外延片包括SiC衬底、石墨烯层及所述氮化物外延层，所述石墨烯层附着在所述SiC衬底上，所述氮化物外延层附着在所述石墨烯层上。
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