[实用新型]高灵敏度水浸传感器电路有效

专利信息
申请号: 201420626922.9 申请日: 2014-10-28
公开(公告)号: CN204229601U 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 曲井致;徐人恒;依溥治;孙宇;郭龙弟;张秋月 申请(专利权)人: 哈尔滨电工仪表研究所
主分类号: G08B21/20 分类号: G08B21/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150028 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 高灵敏度水浸传感器电路,它包括水浸探测端正极、水浸探测端负极、瞬态抑制二极管D1、第一电阻、三极管和第二电阻;其中,水浸探测端正极和瞬态抑制二极管D1负极相连,水浸探测端负极和瞬态抑制二极管D1正极相连;水浸探测端正极和第一电阻相连;水浸探测端负极和地相连;第一电阻一端连接正金属水浸探测端,另一端连接三极管基极;三极管为PNP结构,工作在开关状态,三极管基极连接第一电阻用于水浸传感器接入,发射极连接第二电阻,集电极接地;第二电阻,一端连接5V电源,另一端连接三极管的发射极。本实用新型实现水浸报警功能,成本低廉,能够在市场上大批量使用,日常维护简单,方便人们的生活,减少不必要的损失。
搜索关键词: 灵敏度 传感器 电路
【主权项】:
高灵敏度水浸传感器电路,其特征在于:包括水浸探测端正极、水浸探测端负极、瞬态抑制二极管D1、第一电阻、三极管和第二电阻;所述的水浸探测端正极和瞬态抑制二极管D1负极相连,水浸探测端负极和瞬态抑制二极管D1正极相连;所述的水浸探测端正极和第一电阻相连;所述的水浸探测端负极和地相连;第一电阻一端连接正金属水浸探测端,另一端连接三极管基极;所述的三极管为PNP结构,工作在开关状态,三极管基极连接第一电阻用于水浸传感器接入,发射极连接第二电阻,集电极接地;所述的第二电阻,一端连接5V电源,另一端连接三极管的发射极。
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