[实用新型]一种电子器件有效
申请号: | 201420590059.6 | 申请日: | 2014-10-11 |
公开(公告)号: | CN204243030U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 栾竟恩 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31;H01L23/36 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 本实用新型涉及一种电子器件。电子器件可以包括:集成电路;导电连接件,耦合至集成电路;散热层,邻近集成电路并且与导电连接件相对。电子器件可以包括:封装材料,围绕集成电路和导电连接件;再分布层,具有耦合至导电连接件的导电迹线;加强件,位于散热层和再分布层之间;以及扇出部件,位于散热层和再分布层之间,并且位于封装材料内。本实用新型的电子器件具有改进的散热效率、减少的翘曲以及低材料CTE失配。另外提升了可靠性,并且解决了倒装凸块可靠性和BGA接合可靠性的冲突。 | ||
搜索关键词: | 一种 电子器件 | ||
【主权项】:
一种电子器件,其特征在于,包括:集成电路;多个导电连接件,耦合至所述集成电路;散热层,邻近所述集成电路,并且与所述多个导电连接件相对;封装材料,围绕所述集成电路和所述多个导电连接件;再分布层,具有耦合至所述多个导电连接件的多个导电迹线;加强件,位于所述散热层和所述再分布层之间;以及扇出部件,位于所述散热层和所述再分布层之间,并且位于所述封装材料内。
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