[实用新型]发光二极管芯片及具有此的发光器件有效
| 申请号： | 201420566051.6 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN204167352U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 金昶勋;金相民;印致贤;曹弘锡;朴大锡 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种发光二极管芯片及具有此的发光器件。根据一个实施例的发光二极管芯片包括：第一图案区域，具有至少一个凹陷部；第二图案区域，包围所述第一图案区域。所述第一图案区域具有依次层叠于基板上的第一导电型氮化物系半导体层、活性层、第二导电型氮化物系半导体层、上部电极层以及上部凸块层。所述第二图案区域具有层叠于所述基板上的第一导电型氮化物系半导体层、下部电极层以及下部凸块层。所述第一图案区域在所述凹陷部具有至少一个陷入突起图案。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 具有 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：第一图案区域，具有至少一个凹陷部；第二图案区域，包围所述第一图案区域，其中，所述第一图案区域具有依次层叠于基板上的第一导电型氮化物系半导体层、活性层、第二导电型氮化物系半导体层、上部电极层以及上部凸块层；所述第二图案区域具有层叠于所述基板上的第一导电型氮化物系半导体层、下部电极层以及下部凸块层；所述第一图案区域在所述凹陷部具有至少一个陷入突起图案。
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