[实用新型]一种用于线聚光组件的太阳电池有效
| 申请号: | 201420492174.X | 申请日: | 2014-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN204029824U | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
| 发明(设计)人: | 黄忠;罗敏;帅麒;黄饶 | 申请(专利权)人: | 四川钟顺太阳能开发有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/047 | 分类号: | H01L31/047 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 刘凯 |
| 地址: | 610207 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种用于线聚光组件的太阳电池,包括由P型基体和N型区构成的太阳电池片,所述P型基体和N型区之间形成PN结,在所述太阳电池片的靠近PN结的正面镀有减反射膜层,在所述太阳电池的正面上、后续需要切割成条状太阳电池的对应处预划有V形沟槽,所述V形沟槽的深度超过PN结所在位置,在所述V形沟槽表面镀有减反射膜层,所述减反射膜层覆盖划片处PN结的边缘部。本实用新型在普通晶硅太阳电池的一般生产工艺中引入预划片工艺,使硅片上预划有V形沟槽的表面也镀上一层钝化膜,从而对划片处PN结的边缘起到了有效的保护作用,使得生产的太阳电池经过切割后的条状电池的效率的损失大大降低,因而提升了线性聚光组件的效率,降低了其生产成本。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 用于 聚光 组件 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种用于线聚光组件的太阳电池,包括由P型基体(1)和N型区(2)构成的太阳电池片,所述P型基体(1)和N型区(2)之间形成PN结(3),在所述太阳电池片的靠近PN结的正面镀有减反射膜层(4),其特征在于:在所述太阳电池的正面上、后续需要切割成条状太阳电池的对应处预划有V形沟槽(5),所述V形沟槽(5)的深度超过PN结(3)所在位置,在所述V形沟槽(5)表面镀有减反射膜层(4),所述减反射膜层(4)覆盖划片处PN结(3)的边缘部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





