[实用新型]一种用于线聚光组件的太阳电池有效

专利信息
申请号: 201420492174.X 申请日: 2014-08-29
公开(公告)号: CN204029824U 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 黄忠;罗敏;帅麒;黄饶 申请(专利权)人: 四川钟顺太阳能开发有限公司
主分类号: H01L31/047 分类号: H01L31/047
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 刘凯
地址: 610207 四川省成都市双流*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种用于线聚光组件的太阳电池,包括由P型基体和N型区构成的太阳电池片,所述P型基体和N型区之间形成PN结,在所述太阳电池片的靠近PN结的正面镀有减反射膜层,在所述太阳电池的正面上、后续需要切割成条状太阳电池的对应处预划有V形沟槽,所述V形沟槽的深度超过PN结所在位置,在所述V形沟槽表面镀有减反射膜层,所述减反射膜层覆盖划片处PN结的边缘部。本实用新型在普通晶硅太阳电池的一般生产工艺中引入预划片工艺,使硅片上预划有V形沟槽的表面也镀上一层钝化膜,从而对划片处PN结的边缘起到了有效的保护作用,使得生产的太阳电池经过切割后的条状电池的效率的损失大大降低,因而提升了线性聚光组件的效率,降低了其生产成本。
搜索关键词: 一种 用于 聚光 组件 太阳电池
【主权项】:
一种用于线聚光组件的太阳电池,包括由P型基体(1)和N型区(2)构成的太阳电池片,所述P型基体(1)和N型区(2)之间形成PN结(3),在所述太阳电池片的靠近PN结的正面镀有减反射膜层(4),其特征在于:在所述太阳电池的正面上、后续需要切割成条状太阳电池的对应处预划有V形沟槽(5),所述V形沟槽(5)的深度超过PN结(3)所在位置,在所述V形沟槽(5)表面镀有减反射膜层(4),所述减反射膜层(4)覆盖划片处PN结(3)的边缘部。
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