[实用新型]一种背钝化太阳能电池有效
| 申请号: | 201420394541.2 | 申请日: | 2014-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN203932078U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
| 发明(设计)人: | 王志刚;陆俊宇;汪燕玲;易辉;连维飞;魏青竹 | 申请(专利权)人: | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 项丽 |
| 地址: | 215542 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型涉及一种背钝化太阳能电池,它包括硅衬底层、发射极层、位减反膜层、多个正面银电极、背面钝化膜、背面金属层、贯穿于背面钝化膜和背面金属层中且与硅衬底层底面相接触的多个背面银电极、贯穿背面钝化膜的多个接触区,所述接触区上表面与硅衬底层底面相接触,所述接触区呈线段形状且排布成相互平行的多行,每行中的接触区相互平行且间隔分布,相邻行内的接触区交错分布。通过将合金接触区设置成线段形状且排布成相互平行的多行,每行中的硅铝合金接触区相互平行且间隔分布,相邻行内的硅铝合金接触区交错分布,这样有利于减少合金接触区与硅衬底层的接触面积,降低表面复合并能够消除可能出现的空洞,规避了工艺风险。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 钝化 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种背钝化太阳能电池,其特征在于:它包括硅衬底层(1)、形成于硅衬底层(1)上表面的发射极层(2)、位于发射极层(2)上表面的减反膜层(3)、贯穿于减反膜层(3)中且与发射极层(2)上表面相接触的多个正面银电极(4)、位于硅衬底层(1)底面的背面钝化膜(5)、覆盖于背面钝化膜(5)底面的背面金属层(6)、贯穿于背面钝化膜(5)和背面金属层(6)中且与硅衬底层(1)底面相接触的多个背面银电极(8)、贯穿背面钝化膜(5)的多个接触区(7),所述接触区(7)上表面与硅衬底层(1)底面相接触,所述接触区(7)呈线段形状且排布成相互平行的多行,每行中的接触区(7)相互平行且间隔分布,相邻行内的接触区(7)交错分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





