[实用新型]分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池

摘要

本实用新型公开了一种分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池，包括硅衬底、N型掺杂区、正面减反钝化膜、背面钝化膜、正面电极层、背面电极层和P型硼重掺杂层，硅衬底具有一正面和一背面；N型掺杂区设在硅衬底的正面上；正面减反钝化膜设在N型掺杂区的上表面上；背面钝化膜设在硅衬底的背面上，并且其上开有多个去除通道，并且多个去除通道呈分布式短线阵列结构；正面电极层设在正面减反钝化膜上；背面电极层，其设在背面钝化膜上；P型硼重掺杂层，该P型硼重掺杂区域的上侧与硅衬底接触，下侧通过去除通道与背面电极层电性接触。本实用新型不仅降低了太阳能电池背面的少子在接触界面的复合速率，有利于电池开路电压和转换效率的提升，而且降低了开膜面积，进一步降低了表面的复合速率。

主权项

一种分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池，包括一硅衬底(3)，其具有一正面和一背面；一N型掺杂区(2)，其设在硅衬底(3)的正面上；一正面减反钝化膜(1)，其设在N型掺杂区(2)的上表面上；一背面钝化膜(4)，其设在硅衬底(3)的背面上；其特征在于：所述的背面钝化膜(4)上开有多个去除通道，并且多个去除通道呈分布式短线阵列结构；它还包括：一正面电极层(7)，其设在正面减反钝化膜(1)上，并且与N型掺杂区(2)接触，正面减反钝化膜(1)上未被正面电极层(7)覆盖的区域形成正面感光区域；一背面电极层(8)，其设在背面钝化膜(4)上，并且背面钝化膜(4)上未被背面电极层(8)覆盖的区域形成背面感光区域；一P型硼重掺杂层，其具有多个和去除通道对应的P型硼重掺杂区域(6)，P型硼重掺杂区域(6)呈分布式地设置，并且该P型硼重掺杂区域(6)的上侧与硅衬底(3)接触，下侧通过去除通道与背面电极层(8)电性接触。