[实用新型]一种自适应电平的通信接口适配电路有效

专利信息
申请号: 201420305022.4 申请日: 2014-06-10
公开(公告)号: CN203883467U 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 苏伟达;吴允平;蔡声镇;李汪彪 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: H02J1/00 分类号: H02J1/00
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 350108 福建省福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型涉及一种通信接口适配电路。电路由N沟道增强型MOS场效应管Q1、N沟道增强型MOS场效应管Q2、上拉电阻R1、上拉电阻R2、工作电源VCC1、工作电源VCC2组成。其中上拉电阻R1分别与VCC1、Q1的源极相连;上拉电阻R2分别与VCC2、Q2的源极相连;Q1的栅极与VCC1相连,Q1的漏极与Q2的漏极相连;Q2的栅极与VCC2相连;Q1的漏极与Q2的漏极相连。采用本电路,不仅具有免判断工作电压大小进行接口电平的自适应适配,而且还具有断电隔离作用,使用更加灵活。
搜索关键词: 一种 自适应 电平 通信 接口 配电
【主权项】:
一种自适应电平的通信接口适配电路,其特征是:通信接口适配电路由N沟道增强型MOS场效应管Q1、N沟道增强型MOS场效应管Q2、上拉电阻R1、上拉电阻R2、工作电源VCC1、工作电源VCC2组成,其中上拉电阻R1一端与工作电源VCC1相连,上拉电阻R1另一端与N沟道增强型MOS场效应管Q1的源极相连;上拉电阻R2一端与工作电源VCC2相连;N沟道增强型MOS场效应管Q1的栅极与工作电源VCC1相连,N沟道增强型MOS场效应管Q1的漏极与N沟道增强型MOS场效应管Q2的漏极相连;N沟道增强型MOS场效应管Q2的栅极与工作电源VCC2相连;N沟道增强型MOS场效应管Q1的漏极与N沟道增强型MOS场效应管Q2的漏极相连;所述N沟道增强型MOS场效应管Q2的源极与上拉电阻R2一端相连。
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