[实用新型]生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜有效
| 申请号： | 201420288969.9 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN203895487U | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜，包括Al2O3衬底及其(0001)面往(10-10)面方向偏0.2°依次外延生长的AlN形核层和AlN薄膜。本实用新型的AlN薄膜成本低、质量优、均匀性高，应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 蓝宝石 衬底 均匀 aln 薄膜 | ||
【主权项】：
一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜，其特征在于：包括Al2O3衬底及其(0001)面往(10‑10)面方向偏0.2°依次外延生长的AlN形核层和AlN薄膜；所述AlN形核层的厚度为5‑10nm；所述AlN薄膜的厚度为150‑250nm。
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