[实用新型]生长在Ag衬底上的LED外延片有效
| 申请号： | 201420288968.4 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN203895486U | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种生长在Ag衬底上的LED外延片，包括Ag衬底、AlN缓冲层、U-GaN薄膜层、N-GaN薄膜层、InGaN/GaN多量子阱层和P-GaN薄膜，所述AlN缓冲层、U-GaN薄膜层、N-GaN薄膜层、InGaN/GaN多量子阱层和P-GaN薄膜依次生长在Ag衬底上。本实用新型在金属Ag新型衬底上采用低温生长工艺外延生长GaN薄膜，获得了高质量LED外延片；采用的金属Ag衬底，生长工艺简单、价格便宜，可大幅度降低器件的制造成本；通过选择合适的晶体取向，Ag(111)衬底上获得的高质量GaN外延薄膜，可大幅度提高氮化物器件如光电探测器的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 ag 衬底 led 外延 | ||
【主权项】：
生长在Ag衬底上的LED外延片，其特征在于，包括Ag衬底、AlN缓冲层、U‑GaN薄膜层、N‑GaN薄膜层、InGaN/GaN多量子阱层和P‑GaN薄膜，所述AlN缓冲层、U‑GaN薄膜层、N‑GaN薄膜层、InGaN/GaN多量子阱层和P‑GaN薄膜依次生长在Ag衬底上。
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