[实用新型]一种白光发光二极管LED及其LED芯片有效
| 申请号： | 201420273088.X | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN203910841U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘源;余洋;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种白光发光二极管LED及其LED芯片，属于半导体技术领域。所述芯片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、芯片保护层，所述N型层上设有N电极，所述P型层上设有P电极，所述芯片保护层覆盖在所述芯片正面除所述N电极和所述P电极之外的所有区域，所述芯片保护层包括交替生长的第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层的折射率与所述第二电介质层的折射率不同。本实用新型通过交替生长折射率不同的第一电介质层和第二电介质层，形成布拉格反射层结构的芯片保护层，荧光粉受激发出的500-800nm的长波段光线在LED芯片表面被反射，提高了LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 白光 发光二极管 led 及其 芯片 | ||
【主权项】：
一种应用于白光发光二极管LED的LED芯片，所述芯片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、芯片保护层，所述N型层上设有N电极，所述P型层上设有P电极，所述芯片保护层覆盖在所述芯片正面除所述N电极和所述P电极之外的所有区域，其特征在于，所述芯片保护层包括交替生长的第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层的折射率与所述第二电介质层的折射率不同。
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