[实用新型]一种LED芯片有效

专利信息
申请号: 201420219498.6 申请日: 2014-04-28
公开(公告)号: CN203859142U 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 柴广跃 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38
代理公司: 深圳市华优知识产权代理事务所(普通合伙) 44319 代理人: 冀博
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种LED芯片,其包括多个电气隔离的LED发光外延结构,多个LED发光外延结构的P型电极和N型电极依次电气连接,所述P型电极和N型电极分别包括位于LED芯片边缘的至少两个LED发光外延结构的各自的第一P型电极和第一N型电极,多个LED发光外延结构上表面包括第一区域与第二区域,第一区域包括第一P型电极的上表面和第一N型电极的上表面,第二区域包括除第一区域外的区域,第二区域上设置有第一绝缘介质膜层,第一P型电极和第一N型电极分别延伸有一个延伸部,延伸部沿着第一绝缘介质膜层的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸。通过上述的LED芯片的结构,能够降低封装的难度,并且实现高压工作模式。
搜索关键词: 一种 led 芯片
【主权项】:
一种LED芯片,包括衬底和设置在所述衬底上的多个电气隔离的LED发光外延结构,其中,每个LED发光外延结构包括P型电极和N型电极,多个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极通过电连接线依次电气连接,其特征在于:所述P型电极和N型电极分别包括位于LED芯片边缘的至少两个LED发光外延结构的各自的第一P型电极和第一N型电极,多个所述LED发光外延结构的上表面包括第一区域与第二区域,所述第一区域包括所述第一P型电极的上表面和所述第一N型电极的上表面,所述第二区域包括除所述第一区域外的区域;所述第二区域上设置有第一绝缘介质膜层;所述第一P型电极和第一N型电极分别延伸有一个延伸部,所述延伸部沿着所述第一绝缘介质膜层的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸。
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