[实用新型]一种氮气加热装置有效
| 申请号： | 201420204506.X | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN203932021U | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 田英干 | 申请（专利权）人： | 苏州天霖电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市常熟市常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮气加热装置，包括：加热器件，空心管，喷嘴，温度感应器和透盖，其特征在于：所述空心管的内部设置有台阶；台阶两侧的空心管壁内腔的截面积不同;空心管内腔的截面积较大一侧为紊流区域;紊流区域一侧的末端装有透盖；透盖和台阶之间装有喷嘴;所述温度感应器安装在透盖上，并且其感应端靠近喷嘴；空心管内腔截面积较小的一侧的端部装有加热器件。所述加热器件的末端与空心管腔内部的台阶在同一个管截面上。所述透盖和加热器件通过螺纹连接或通过盈配合安装到空心管上。本实用新型的有益效果是：通过提高输出的氮气温度的控制精度，提高装置的相应速度，有利于改善对设备的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮气 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种氮气加热装置，包括：加热器件，空心管，喷嘴，温度感应器和透盖，其特征在于：所述空心管的内部设置有台阶,台阶两侧的空心管壁内腔的截面积不同; 空心管内腔的截面积较大一侧为紊流区域;紊流区域一侧的末端装有透盖；透盖和台阶之间装有喷嘴; 所述温度感应器安装在透盖上，并且其感应端靠近喷嘴；空心管内腔截面积较小的一侧的端部装有加热器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
