[实用新型]一种铜柱凸块的封装结构有效
申请号: | 201420145872.2 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN203774308U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 徐虹;张黎;陈栋;陈锦辉;赖志明 | 申请(专利权)人: | 江阴长电先进封装有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 彭英 |
地址: | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种铜柱凸块的封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括带有芯片电极(120)的芯片基体(100),芯片基体(100)的表面覆盖钝化层(110),钝化层(110)和芯片电极(120)的表面设置介电层(200),在介电层(200)上开设介电层通孔(211),每一所述芯片电极(120)上方对应若干个介电层通孔(211),所述芯片电极(120)的正上方设置凸块底部金属(300),所述凸块底部金属(300)的底部通过若干个介电层通孔(211)向下延伸与芯片电极(120)形成固连,实现电气连通,在所述凸块底部金属(300)的上方设置铜柱凸块(410)和铜柱凸块(410)的顶端的锡焊料帽(420)。本实用新型提供了一种降低失效隐患、提高可靠性的铜柱凸块的封装结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜柱凸块 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种铜柱凸块的封装结构,其包括带有芯片电极(120)的芯片基体(100),所述芯片基体(100)的表面覆盖钝化层(110),芯片电极(120)复合于钝化层(110)内且其表面露出钝化层(110),钝化层(110)和芯片电极(120)的表面设置介电层(200), 其特征在于:在所述介电层(200)上开设上下贯穿介电层(200)的介电层通孔(211),每一所述芯片电极(120)上方对应若干个介电层通孔(211),所述芯片电极(120)的正上方设置凸块底部金属(300),所述凸块底部金属(300)的底部通过若干个介电层通孔(211)向下延伸与芯片电极(120)形成固连,实现电气连通,在所述凸块底部金属(300)的上方设置铜柱凸块(410)和铜柱凸块(410)的顶端的锡焊料帽(420)。
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