[实用新型]具有用于在化学气相沉积系统中改善加热均匀性的器件的晶片承载器有效
申请号: | 201420120550.2 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN203895428U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 桑迪普·克里希南;威廉·E·奎因;杰弗里·S·蒙哥马利;约书亚·曼格姆;卢卡斯·厄本 | 申请(专利权)人: | 美国维易科精密仪器有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王淑丽 |
地址: | 美国纽约*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种具有用于在化学气相沉积系统中改善加热均匀性的器件的晶片承载器。所述晶片承载器包括凹入其本体的晶片保持凹穴。热绝缘间隔装置至少部分地位于至少一个晶片保持凹穴中,并且设置为保持周壁表面和晶片之间的间隔。间隔装置由具有比晶片承载器的热传导率低的材料制成,使得间隔装置限制热从晶片承载器本体的部分传递到晶片。晶片承载器进一步包括间隔保持特征,其与间隔装置对应并且包括用于防止在绕中心轴线旋转时间隔装置的离心运动的表面。 | ||
搜索关键词: | 具有 用于 化学 沉积 系统 改善 加热 均匀 器件 晶片 承载 | ||
【主权项】:
一种具有用于在化学气相沉积系统中改善加热均匀性的器件的晶片承载器,其特征在于,晶片承载器总成包含: 绕中心轴线对称设置的晶片承载器本体,包括垂直于中心轴线设置的总体上平坦的上表面; 至少一个从上表面凹入晶片承载器的晶片保持凹穴,至少一个晶片保持凹穴的每一个包括底面和围绕底面并且形成晶片保持凹穴的周壁的周壁表面,晶片保持凹穴用于在绕中心轴线旋转时将晶片保持在周壁内;以及 晶片保持凹穴进一步设置为容纳具有至少一个平直边缘的晶片,其中在其上保持晶片的至少一个平直边缘的底面的一部分具有升高的部分,其比位于晶片的圆形边缘部分之下的底面的部分凹进少。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造