[实用新型]具有用于在化学气相沉积系统中改善加热均匀性的器件的晶片承载器有效

专利信息
申请号: 201420120550.2 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN203895428U 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 桑迪普·克里希南;威廉·E·奎因;杰弗里·S·蒙哥马利;约书亚·曼格姆;卢卡斯·厄本 申请(专利权)人: 美国维易科精密仪器有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人: 王淑丽
地址: 美国纽约*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种具有用于在化学气相沉积系统中改善加热均匀性的器件的晶片承载器。所述晶片承载器包括凹入其本体的晶片保持凹穴。热绝缘间隔装置至少部分地位于至少一个晶片保持凹穴中,并且设置为保持周壁表面和晶片之间的间隔。间隔装置由具有比晶片承载器的热传导率低的材料制成,使得间隔装置限制热从晶片承载器本体的部分传递到晶片。晶片承载器进一步包括间隔保持特征,其与间隔装置对应并且包括用于防止在绕中心轴线旋转时间隔装置的离心运动的表面。
搜索关键词: 具有 用于 化学 沉积 系统 改善 加热 均匀 器件 晶片 承载
【主权项】:
一种具有用于在化学气相沉积系统中改善加热均匀性的器件的晶片承载器,其特征在于,晶片承载器总成包含: 绕中心轴线对称设置的晶片承载器本体,包括垂直于中心轴线设置的总体上平坦的上表面; 至少一个从上表面凹入晶片承载器的晶片保持凹穴,至少一个晶片保持凹穴的每一个包括底面和围绕底面并且形成晶片保持凹穴的周壁的周壁表面,晶片保持凹穴用于在绕中心轴线旋转时将晶片保持在周壁内;以及 晶片保持凹穴进一步设置为容纳具有至少一个平直边缘的晶片,其中在其上保持晶片的至少一个平直边缘的底面的一部分具有升高的部分,其比位于晶片的圆形边缘部分之下的底面的部分凹进少。 
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国维易科精密仪器有限公司,未经美国维易科精密仪器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420120550.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top