[实用新型]一种相变存储单元有效
| 申请号： | 201420072764.7 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN203721775U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 孔涛;黄荣;张杰;卫芬芬;程国胜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种相变存储单元，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其中，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元，特别是二氧化硅四棱台组成的周期性结构，所述相变材料层连续覆设在所述周期性结构上，并形成复数个凹槽结构。本实用新型易于制备，成本低廉，并且存储密度高，可充分满足相变存储器的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种相变存储单元，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其特征在于，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元组成的周期性结构，所述相变材料层连续覆设在所述周期性结构上，并形成复数个凹槽结构。
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