[实用新型]像素单元成品结构和半成品结构有效
| 申请号： | 201420057255.7 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN203721728U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王伟军;王毅博 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01J5/10 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种像素单元成品结构及半成品结构。像素单元成品结构包括：上层结构和下层结构，所述上层结构和下层结构之间设置有空腔、以及支撑体，所述上层结构从下到上依次包括支撑膜层、热敏感层、吸收传输层、保护膜层，所述下层结构包括从下到上依次包括衬底、缓冲层、反射层。本实用新型中，通过在像素单元的上层结构和下层结构之间增加了支撑体，同时，在上层结构中增加支撑膜层，并辅以保护膜层以平衡应力，提高了像素单元的机械强度，避免了应力失配引起的传感器结构变形、崩裂，进一步提高产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 单元 成品 结构 半成品 | ||
【主权项】：
一种像素单元成品结构，其特征在于，包括：上层结构和下层结构，所述上层结构和下层结构之间设置有空腔、以及支撑体，所述上层结构从下到上依次包括支撑膜层、热敏感层、吸收传输层、保护膜层，所述下层结构包括从下到上依次包括衬底、缓冲层、反射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420057255.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
