[实用新型]一种具有正面Al-PN结的N型晶体硅太阳电池有效
| 申请号： | 201420015118.7 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN203644795U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 许佳平 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有正面Al-PN结的N型晶体硅太阳电池，包括正面电极、SiN正面减反射膜、Al2O3钝化膜、N型基底、N型背面场、SiN背面钝化膜和背面电极，还包括Al-PN结，所述Al-PN结设置于N型太阳电池的正面，所述Al-PN结处于N型基底与Al2O3钝化膜之间。本实用新型其制备过程适合N型多晶硅片，不仅提高了转换效率，且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 正面 al pn 晶体 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种具有正面Al‑PN结的N型晶体硅太阳电池，包括正面电极（1）、SiN正面减反射膜（2）、Al2O3钝化膜（3）、N型基底（5）、N型背面场（6）、SiN背面钝化膜（7）和背面电极（8），其特征在于：还包括Al‑PN结（4），所述Al‑PN结（4）设置于N型太阳电池的正面，所述Al‑PN结（4）处于N型基底（5）与Al2O3钝化膜（3）之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
