[发明专利]访问内存的方法、存储级内存及计算机系统有效
申请号: | 201410856607.X | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN105808455B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 杨任花;赵俊峰;杨伟;王元钢;林殷茵 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司;复旦大学 |
主分类号: | G06F12/10 | 分类号: | G06F12/10;G06F13/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种访问内存的方法、存储级内存及计算机系统。所述计算机系统包括内存控制器和混合内存,所述混合内存包括动态随机存取存储器DRAM和存储级内存SCM。所述内存控制器用于向所述DRAM和所述SCM发送第一访问指令。所述SCM在确定接收的所述第一访问指令中的第一地址指向的所述DRAM的第一存储单元集合中包括保持时间比所述DRAM的刷新周期短的存储单元时,可以获得与所述第一地址具有映射关系的第二地址。进一步的,所述SCM根据所述第二地址将所述第一访问指令转换为访问SCM的第二访问指令,以实现对SCM的访问。本发明实施例提供的计算机系统能够在降低DRAM刷新功耗的基础上保证数据的正确性。 | ||
搜索关键词: | 访问 内存 方法 存储 计算机系统 | ||
【主权项】:
一种计算机系统,其特征在于,所述计算机系统包括内存控制器和混合内存,所述混合内存包括动态随机存取存储器DRAM和存储级内存SCM,其中:所述内存控制器,用于向所述DRAM和所述SCM发送第一访问指令,其中所述第一访问指令中携带有第一地址,所述第一地址用于指向要访问的所述DRAM的第一存储单元集合;所述DRAM,用于根据所述第一访问指令访问所述第一存储单元集合中的存储单元;所述SCM用于:接收所述内存控制器发送的所述第一访问指令;确定所述第一存储单元集合中包括保持时间比所述DRAM的刷新周期短的存储单元,其中,所述DRAM的刷新周期比标准刷新周期长;获得与所述第一地址具有映射关系的第二地址,其中,所述第二地址用于指向所述SCM的第二存储单元集合;根据所述第二地址将所述第一访问指令转换为第二访问指令,其中,所述第二访问指令中包括第二地址;根据所述第二访问指令对所述第二存储单元集合中的存储单元进行访问。
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