[发明专利]一种检测硅衬底质量的方法有效
| 申请号： | 201410856256.2 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104599993B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李小锋;俞伟锋;刘翔宇;梁厅 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种检验硅衬底质量的方法，先对硅衬底进行升温及降温处理，当衬底背面损伤层吸杂效果不佳或硅衬底来料存在沾污时，硅衬底背面及边沿的沾污或升降温设备中的沾污会溢出转移到衬底正面，再在硅衬底上生长外延层，这样硅衬底上存在沾污的位置外延生长晶格完整性将受到破坏产生外延生长缺陷，对硅衬底上的外延层进行腐蚀时外延生长缺陷将被暴露出来，采用金相显微镜进行外延层表面缺陷检测便可判断硅衬底的质量，不需增加昂贵的检测设备，即可在硅衬底来料时提早检测硅衬底中的沾污的情况，避免敏感的器件流片批量报废，预防定单交付延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 衬底 质量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测硅衬底质量的方法，其特征在于，包括：对硅衬底进行升温及降温处理；在所述硅衬底上生长外延层；以及对所述外延层进行腐蚀，并采用金相显微镜对所述硅衬底进行表面缺陷检测，通过表面缺陷的数量判断所述硅衬底的质量；其中，对硅衬底进行升温处理过程中，在10‑24分钟内将硅衬底温度升至1100℃以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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