[发明专利]一种3D NAND闪存结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种3D NAND闪存结构及其制作方法。该方法包括：提供衬底，衬底表面形成有多个阵列串单元，所述阵列串单元之间设有暴露出衬底的源极沟槽，阵列串单元包括多个堆叠的第一氧化介质层和牺牲介质层；对源极沟槽中暴露出的衬底进行离子注入，形成公共源极；刻蚀去除牺牲介质层，并在氧化介质层内壁形成栅极，且在源极沟槽内形成第二氧化介质层；刻蚀源极沟槽底部的第二氧化介质层、公共源极和衬底，形成P阱连接沟槽；对P阱连接沟槽中暴露出的衬底进行离子注入，形成P+；在P阱连接沟槽和源极沟槽内形成沟槽引线。采用自对准离子注入法在各个源极沟槽内均形成P+和N+，不仅节约了生产成本，还提高了电路的稳定性和可靠度。

主权项

1.一种3D NAND闪存结构的制作方法，其特征在于，包括：提供P阱衬底，所述P阱衬底表面形成有多个阵列串单元，所述阵列串单元之间设有暴露出所述P阱衬底的源极沟槽，所述阵列串单元包括多晶硅、多晶硅隔离介质层及多个交错堆叠的第一氧化介质层和牺牲介质层，所述多晶硅隔离介质层形成于所述多晶硅的内部，所述牺牲介质层形成于相邻的第一氧化介质层之间，所述多个交错堆叠的第一氧化介质层和牺牲介质层位于所述多晶硅的两侧；对源极沟槽中暴露出的P阱衬底进行N型离子注入，形成公共源极；刻蚀去除所述牺牲介质层，并在氧化介质层内壁形成栅极，且在源极沟槽内形成第二氧化介质层；刻蚀源极沟槽底部的第二氧化介质层、公共源极和P阱衬底，形成P阱连接沟槽；对所述P阱连接沟槽中暴露出的P阱衬底进行离子注入，形成P型重掺杂；在所述P阱连接沟槽和所述源极沟槽内形成沟槽引线。