[发明专利]TFT-LCD像素结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410853614.4 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104483793A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 唐岳军 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种TFT-LCD像素结构及其制作方法，所述TFT-LCD像素结构包括形成于基板上的栅极线、TFT开关及像素电极。所述TFT开关包括圆形漏极、环形半导体层、环形源极及保护层。所述圆形漏极绝缘地形成于所述栅极线上。所述环形半导体层环设于所述圆形漏极的周围。所述环形源极环设于所述环形半导体层的周围。所述保护层形成于所述圆形漏极、环形半导体层及环形源极上，其中所述保护层在所述圆形漏极上形成一过孔，且所述像素电极经由所述过孔与所述圆形漏极电性连接。本发明的TFT-LCD像素结构可提升开口率并提高像素电极的充电能力。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 像素 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD像素结构，包括形成于基板上的栅极线、TFT开关及像素电极，其特征在于，所述TFT开关包括：圆形漏极，绝缘地形成于所述栅极线上；环形半导体层，环设于所述圆形漏极的周围；环形源极，环设于所述环形半导体层的周围；以及保护层，形成于所述圆形漏极、环形半导体层及环形源极上，其中所述保护层在所述圆形漏极上形成一过孔，且所述像素电极经由所述过孔与所述圆形漏极电性连接。
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