[发明专利]用于沟槽刻蚀的光刻版及沟槽的刻蚀方法有效
| 申请号: | 201410853471.7 | 申请日: | 2014-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN105810556B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
| 发明(设计)人: | 芮强;邓小社;张硕;孙永生 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
| 地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种用于沟槽刻蚀的光刻版,包括第一和第二沟槽图形区域,第一沟槽图形区域包括多条宽度相等的第一条形,各第一条形的间距相等,第二沟槽图形区域包括多条宽度相等的第二条形,各第二条形的间距相等;第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽,各第二条形的间距小于各第一条形的间距。本发明还涉及一种沟槽的刻蚀方法。本发明通过设置合适的条宽和间距,使得在同时进行刻蚀的情况下,第一沟槽图形区域形成的沟槽比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度要深,能够通过一次光刻和刻蚀形成两种以上不同深度的沟槽。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 沟槽 刻蚀 光刻 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于沟槽刻蚀的光刻版,包括第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域,其特征在于,所述第一沟槽图形区域包括多条宽度相等的第一条形,各第一条形的间距相等,所述第二沟槽图形区域包括多条宽度相等的第二条形,各第二条形的间距相等,所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积不等于所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积;所述第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域用于光刻并刻蚀形成沟槽,所述第一沟槽图形区域用于形成比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度深的沟槽;其中,所述第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽,各第二条形的间距小于各第一条形的间距,或所述第二条形的条宽小于所述第一条形的条宽,所述第一条形的条宽与第一条形间间距之和等于第二条形的条宽与第二条形间间距之和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





