[发明专利]N型薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410848088.2 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810746B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李关红;李群庆;金元浩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N型薄膜晶体管，其包括：一绝缘基底；一半导体碳纳米管层设置于所述绝缘基底表面；一源极及一漏极，间隔设置，且分别与该半导体碳纳米管层电连接，源极与漏极之间的半导体碳纳米管层形成一沟道；一栅极，所述栅极与半导体碳纳米管层、源极、漏极绝缘设置；其中，进一步包括：一功能性介质层，所述功能性介质层覆盖所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面，所述栅极设置于所述功能性介质层远离所述绝缘基底的表面；一氧化镁层，所述氧化镁层设置于所述半导体碳纳米管层与绝缘基底之间，并且覆盖所述半导体碳纳米管层靠近所述绝缘基底的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种N型薄膜晶体管，其包括：一绝缘基底；一半导体碳纳米管层，所述半导体碳纳米管层设置于所述绝缘基底表面；一源极及一漏极，所述源极和漏极间隔设置，且分别与该半导体碳纳米管层电连接，源极与漏极之间的半导体碳纳米管层形成一沟道；一栅极，所述栅极与半导体碳纳米管层、源极、漏极绝缘设置；其特征在于，进一步包括：一功能性介质层，所述功能性介质层覆盖所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面，所述栅极设置于所述功能性介质层远离所述绝缘基底的表面，所述功能性介质层起到绝缘和静电掺杂的作用，所述功能性介质层的结构中存在正电荷缺陷，在氧化镁层的作用之下向所述半导体碳纳米管层引入电子；一氧化镁层，所述氧化镁层设置于所述半导体碳纳米管层与绝缘基底之间，并且覆盖所述半导体碳纳米管层靠近所述绝缘基底的表面。
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